1MBH60-100 merupakan IGBT transistor yang memiliki kemampuan switching cepat, gerbang impedansi yang tinggi dan tegangan saturasi yang rendah. Spesifikasi : - Daya disipasi : 260 W - Vces : 1000 V (maks) - Vce (sat) : 15 V - Vges : +/- 20 V - Ic : 60 A - Kemasan : -