IRF630N Lihat lebih detail

IRF630N

273-034

Stok Produkinden

Close

Rp 3.650

Diskon berdasarkan volume

JumlahHargaAnda menghemat
25 Rp 3.500 Sampai dengan Rp 3.750
HEXFET® Power MOSFET

Datasheet

KemasanTO-220AB
PolaritasN-Channel
Daya disipasi82W
Drain source voltage vds1.3V
Drain source breakdown voltage200V
Gate-source voltage±20V
Continuous drain current9.3A (@VGS10V Tc25°C)
Gate-source cutoff voltage2.0V-4.0V (@ID 250µA)
Hambatan drain-source rds (on)0.30O

Belum ada komentar dari pelanggan.

Tulis komentar Anda

IRF630N

IRF630N

HEXFET® Power MOSFET

Tulis komentar Anda

Pelanggan yang membeli produk ini juga membeli: