Lihat lebih detail

BS170

Kode Produk 273-008

Stok Produk	inden

Jumlah	Harga	Anda menghemat
100	Rp 5.000	Sampai dengan Rp 50.000
25	Rp 5.250	Sampai dengan Rp 6.250

N-Channel Enhancement Mode FET.

Kemasan	TO-92
Polaritas	N-Channel
Daya disipasi	830 mW (maks)
Drain source voltage vds	60 V (maks)
Drain source breakdown voltage	60 V (min)
Gate-source voltage	+/- 20 V (maks)
Continuous drain current	500 mA (maks)
Gate-source cutoff voltage	-
Hambatan drain-source rds (on)	5 ohm (maks)