HGTG30N60C3D Lihat lebih detail

HGTG30N60C3D

273-040

Stok Produkinden

Close

Rp 144.150

HGTG30N60C3D merupakan IGBT transistor yang memiliki kemampuan switching cepat pada tegangan tinggi, input impedansi tinggi dan kerugian konduksi transistor yang rendah
Spesifikasi :
- Daya disipasi : 208 W
- Vces : 600 V (maks)
- Vce (sat) : 1.5 V
- Vges : +/- 20 V
- Ic : 63 A
- Kemasan :

Datasheet

Belum ada komentar dari pelanggan.

Tulis komentar Anda

HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D merupakan IGBT transistor yang memiliki kemampuan switching

Tulis komentar Anda

Pelanggan yang membeli produk ini juga membeli: