IGBT Transistor IKW40N120H3

IGBT Transistor IKW40N120H3 adalah IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dari Infineon Technologies yang menggunakan teknologi TRENCHSTOP™ + Fieldstop generasi ke-3 (HighSpeed 3). Komponen ini menggabungkan: kemudahan kontrol MOSFET (gate voltage)dan, kemampuan arus besar seperti BJT.
Dilengkapi juga dengan freewheeling diode internal, sehingga cocok untuk aplikasi switching daya seperti inverter, konverter, dan sistem industri.

Spesifikasi : 

• VCE = 1200 V
• IC = 40 A
• VCEsat sangat rendah
• EMI rendah
• Dioda antiparalel yang sangat lembut dan pemulihan cepat
• Suhu persimpangan maksimum Tvjmax = 175°C
• Kualifikasi sesuai JEDEC untuk aplikasi target
• Pelapisan timbal bebas Pb; sesuai RoHS
• Definisi Pin :
• Pin G – Gerbang
• Pin C – Kolektor
• Pin E – Emitor

Contoh Aplikasi : 

• Catu daya tak terputus (UPS)
• Konverter pengelasan
• Konverter dengan frekuensi switching tinggi

Dokumen : 

• DataSheet : [ Link ]
• Spektrum produk lengkap dan Model PSpice : [ Link ]

Produk terkait : 

• IGBT SGL160N60UFD 60V 160A
• IRGPS60B120KDP